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摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，功率器件包括：外延层与衬底的掺杂类型相同；第一区和阱区位于外延层内部；第一区位于阱区远离衬底的一侧；第一区与阱区的掺杂类型不同，第一区与外延层的掺杂类型相同；在第一区远离衬底的表面包括沟槽，沟槽贯穿第一区和阱区，且延伸至阱区邻近衬底的外延层内；栅氧层由沟槽内部延伸至部分第一区；绝缘结构位于沟槽内部；绝缘结构至少覆盖部分沟槽的底部；多晶硅层，多晶硅层位于绝缘结构远离衬底的一侧；多晶硅层覆盖绝缘结构；沿第一方向，阱区在多晶硅层的垂直投影位于多晶硅层内；第一方向为垂直于衬底指向外延层的方向。本发明可以减小寄生电容，提高器件性能。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底为第一掺杂类型；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧，所述外延层与所述衬底的掺杂类型相同；第一区和阱区位于所述外延层内部；所述第一区位于所述阱区远离所述衬底的一侧；所述第一区与所述阱区的掺杂类型不同，所述第一区与所述外延层的掺杂类型相同；在所述第一区远离所述衬底的表面包括沟槽，所述沟槽贯穿所述第一区和所述阱区，且延伸至所述阱区邻近所述衬底的所述外延层内；栅氧层，所述栅氧层位于所述第一区远离所述衬底的一侧；所述栅氧层由所述沟槽内部延伸至部分所述第一区；绝缘结构，所述绝缘结构位于所述栅氧层远离所述衬底的一侧；所述绝缘结构位于所述沟槽内部；所述绝缘结构至少覆盖部分所述沟槽的底部；多晶硅层，所述多晶硅层位于所述绝缘结构远离所述衬底的一侧；所述多晶硅层覆盖所述绝缘结构；沿第一方向，所述阱区在所述多晶硅层的垂直投影位于所述多晶硅层内；所述第一方向为垂直于所述衬底指向所述外延层的方向。
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百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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