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摘要：本发明公开了一种晶圆级电化学晶体管阵列及其制备方法，涉及有机电化学晶体管领域，晶体管阵列包括柔性衬底层、电极层、有机半导体层、疏水牺牲层、凝胶电解质层，电极层包括源电极、漏电极和栅电极，源电极、漏电极和栅电极均设置在柔性衬底层上方，SEBS疏水牺牲层设置在源电极、漏电极和栅电极的上方，有机半导体层设置在源电极与漏电极之间的亲水性区域，凝胶电解质覆盖于有机半导体层和栅电极上方的亲水性区域；通过多次引入UVO图案化的疏水牺牲层，实现亲水性有机半导体材料和凝胶电解质材料的大面积图案化，在保障元器件均一性和可靠性的同时，实现有机电化学晶体管的大规模晶圆级集成。
主权项：1.一种晶圆级电化学晶体管阵列，其特征在于，包括柔性衬底层（1）、电极层、有机半导体层（5）、疏水牺牲层（6）、凝胶电解质层（7），电极层包括源电极（2）、漏电极（3）和栅电极（4），源电极（2）、漏电极（3）和栅电极（4）均设置在柔性衬底层（1）上方，SEBS疏水牺牲层（6）设置在源电极（2）、漏电极（3）和栅电极（4）的上方，有机半导体层（5）设置在源电极（2）与漏电极（3）之间的亲水性区域，凝胶电解质（7）覆盖于有机半导体层（5）和栅电极（4）上方的亲水性区域；疏水牺牲层（6）由SEBS旋涂后高温退火得到，并通过UVO处理和掩膜遮挡形成图案化的润湿性表面。
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百度查询： 电子科技大学 一种晶圆级电化学晶体管阵列及其制备方法
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