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摘要：本公开涉及一种存储单元、存储阵列及存储阵列的形成方法。所述存储单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一沟道层，以及第一源极区和第一漏极区，其中，所述第一栅极包括并列设置的顶部栅极和底部栅极，所述第一沟道层分别环绕所述顶部栅极和所述底部栅极的多个表面；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方，所述第二晶体管包括存储节点，所述顶部栅极电连接所述存储节点。本公开提高了半导体结构的存储密度，改善了具有2T0C结构的半导体器件的性能。
主权项：1.一种存储单元，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极、第一沟道层，以及沿第一方向分布于所述第一栅极的相对两侧的第一源极区和第一漏极区，其中，所述第一栅极包括沿所述第一方向并列设置的顶部栅极和底部栅极，所述第一沟道层分别环绕所述顶部栅极和所述底部栅极的多个表面；第二晶体管，位于所述第一晶体管上方，所述第二晶体管包括存储节点，所述顶部栅极电连接所述存储节点。
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百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储单元、存储阵列及存储阵列的形成方法
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