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摘要：本申请公开了一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用，属于4H碳化硅晶棒制备技术领域。该4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，其切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，且切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h。该4H碳化硅晶棒在降低电阻率的同时提高切割所得的碳化硅晶片的曲率半径，且同一4H碳化硅晶棒制备得到的碳化硅晶片的曲率半径分布均匀，可显著提高利用该材料制备得到的器件的稳定性。
主权项：1.一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒，其特征在于，所述4H碳化硅晶棒在任意位置处的电阻率均大于12mΩ·cm且小于15mΩ·cm，所述4H碳化硅晶棒切割得到的碳化硅晶片的曲率半径均大于800m，所述4H碳化硅晶棒切割得到的碳化硅晶片在轴向上曲率半径分布函数为CR=ey+fy2+gy3+h；其中CR为碳化硅晶片的曲率半径，单位为m，y为碳化硅晶片的序号，自4H碳化硅晶棒的硅面向碳面开始按照自然数排序，包含4H碳化硅晶棒硅面的第一片碳化硅晶片序号为1，所述碳化硅晶片的厚度为350-500μm，e的取值范围为-4.1~-3.5，f的取值范围为0.17~0.19，g的取值范围为0.15~0.19，h的取值范围为830~890。
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百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种曲率半径大且分布均匀的4H碳化硅晶棒及制备方法和应用
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