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摘要：本实用新型提供了一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有突起部，该突起部为倒凸字形；阱区，所述阱区连接至所述漂移层；源区，所述源区连接至所述阱区；栅介质层，所述栅介质层分别连接所述漂移层的突起部以及阱区；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述源区以及漂移层；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底，提高抑制动态雪崩能力。
主权项：1.一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面，所述漂移层上设有突起部，该突起部为倒凸字形；阱区，所述阱区连接至所述漂移层；源区，所述源区连接至所述阱区；栅介质层，所述栅介质层分别连接所述漂移层的突起部以及阱区；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述源区以及漂移层；栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅介质层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底。
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百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种抑制动态雪崩的平面栅碳化硅MOSFET
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