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摘要：本发明提供一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括：顶接触层、吸收层、电荷控制层、雪崩倍增层及衬底；衬底包括：顶层衬底、中层衬底及底层衬底；顶层衬底包括：顶层中心区、第一环绕区、第二环绕区；中层衬底包括：中层中心区、中层环绕区。本发明提出一种SACM结构的APD的设计及其制造方法，特别是针对GeSi的APD，本发明的益处在于省去了一步较为耗时的外延工艺流程，因此可以有效缩短工艺周期，减小外延工艺带来的参数不确定性；减小对外延工具及气体原料的耗费，但同时可以保证APD具有较低的暗电流和较高的倍增系数。
主权项：1.一种雪崩光电二极管，包括：衬底和雪崩倍增层，其特征在于，所述衬底包括：顶层衬底、中层衬底及底层衬底；所述顶层衬底包括：顶层中心区，第一环绕区，所述第一环绕区位于顶层中心区的外面，所述顶层中心区的净有效掺杂浓度大于所述第一环绕区的净有效掺杂浓度，围设在所述第一环绕区外部的第二环绕区，所述第二环绕区的净有效掺杂浓度≥所述第一环绕区的净有效掺杂浓度；所述中层衬底包括：中层环绕区，所述中层环绕区的位置与所述第二环绕区的位置对应，中层中心区，所述中层中心区的位置与所述顶层中心区和第一环绕区的位置对应，所述中层环绕区的净有效掺杂浓度≥所述中层中心区的净有效掺杂浓度，其中，所述雪崩倍增层位于所述顶层衬底的上方，所述雪崩倍增层的底部设有中部区域，其中，所述顶层中心区的掺杂杂质扩散至所述中部区域内，使得所述中部区域的净有效掺杂浓度大于所述雪崩倍增层的其他区域以形成电场控制台面的上半部分，此时所述顶层中心区形成为所述电场控制台面的下半部分。
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百度查询： NANO科技(北京)有限公司 一种雪崩光电二极管及其制备方法
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