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摘要：本申请涉及单光子雪崩二极管。一种单光子雪崩二极管可包括基板和由基板支撑的多个结结构。基板可具有彼此相对的上表面和下表面。结结构可由基板支撑以与基板的上表面接触。结结构可包括在垂直于基板的垂直方向上彼此交叠的部分。各个结结构可包括具有第一导电类型并且被设置为与基板的上表面接触的第一杂质区域以及具有第二导电类型并且被设置为与基板的上表面和第一杂质区域的底表面接触的第二杂质区域。各个结结构中的第一杂质区域和第二杂质区域可被配置为通过基板的上表面接收偏置电压。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管，所述单光子雪崩二极管包括：第一阳极，所述第一阳极布置在基板的前侧；第一阴极，所述第一阴极布置为围绕所述第一阳极；第二阳极，所述第二阳极布置在所述第一阴极的一侧；以及第二阴极，所述第二阴极布置在所述第二阳极的一侧，其中，所述第一阳极、所述第一阴极、所述第二阳极和所述第二阴极相对于所述基板的深度方向顺序地接合，并且其中，所述第一阳极、所述第一阴极、所述第二阳极和所述第二阴极在所述基板的水平方向上彼此间隔开。
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百度查询： 爱思开海力士有限公司 单光子雪崩二极管
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