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摘要：本发明公开了一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法，包括：标定步骤、测试步骤和计算步骤。该方法通过将紫外光电子能谱技术和反光电子能谱技术相结合，不仅能直接获得半导体薄膜材料价带顶、导带底的位置，或直接获得半导体薄膜材料最高占据分子轨道、最低未占据分子轨道的位置，而且通过计算还可以获得半导体薄膜材料的禁带宽度，测试结果更加真实。紫外光电子能谱单元和反光电子能谱单元置于同一超高真空环境中，超高真空环境中气体分子的浓度极低，致使采集的测试信号精度提高。另外由于激发源能量较低，激发过程中不包括芯能级激发，因此可避免芯能级激发时伴随的“驰豫过程”引起的信号失真，测试结果的准确度大大提高。
主权项：1.一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法，其特征在于，包括以下步骤：标定步骤：测试标准样品的反光电子能谱，确定反光电子能谱中的费米能级位置，标定费米能级零点EF；测试所述标准样品的紫外光电子能谱，确定紫外光电子能谱中的费米能级位置，标定费米能级零点EF；测试步骤：根据反光电子能谱中的标定费米能级零点EF以及紫外光电子能谱的标定费米能级零点EF，对待测半导体薄膜材料进行测试；测试所述待测半导体薄膜材料的紫外光电子能谱，获得价带顶位置EVBM或获得最高占据分子轨道位置EHOMO；测试所述待测半导体薄膜材料的反光电子能谱，获得导带底位置ECBM或获得最低未占据分子轨道位置ELUMO；计算步骤：计算所述待测半导体薄膜材料的禁带宽度数值，表述为Eg=|ECBM-EVBM|或Eg=|ELUMO-EHOMO|。
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百度查询： 北京理工大学 一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法
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