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摘要：本发明属于电源管理芯片领域，涉及一种双路偏置电流产生电路，包括：QN2基极与QN1的基极、R1一端、R2一端、R3一端相连；R1另一端连接MN1和MN2的栅极、MP3的漏极；R2另一端连接QN2的集电极、QN3的基极；R3另一端、QN2的发射极、QN1的发射极以及QN3的发射极接地；QN1的集电极连接MN1的源极；MN1的漏极与MP1的漏极、MP1的栅极、MP2的栅极以及MP4的栅极连接；MP1的源极与MP2的源极、MP3的源极、MP4的源极、MP5的源极均连接VDD；QN3的集电极连接MN2的源极；MN2的漏极与MP2的漏极、MP3的栅极以及MP5的栅极连接；本发明的电路不受电源电压影响。
主权项：1.一种双路偏置电流产生电路，其特征在于，包括：三个电阻R1～R3、两个NMOS管MN1～MN2、五个PMOS管MP1～MP5以及三个NPN型三极管QN1～QN3；各个元器件的连接关系为：MP1的源极、MP2的源极、MP3的源极、MP4的源极以及MP5的源极均接入输入电压源，MP1的栅极分别连接MP2的栅极、MP1的漏极、MN1的漏极以及MP4的栅极；MP2的漏极分别连接MN2的漏极、MP3的栅极以及MP5的栅极；MP3的漏极分别连接MN1的栅极、MN2的栅极以及电阻R1的一端；MP4的漏极作为电流产生电路的第一输出端；MP5的漏极作为电流产生电路的第二输出端；MN1的源极连接三级管QN1的集电极；MN2的源极连接三极管QN3的集电极；电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端、三极管QN1的基极、三极管QN2的基极以及电阻R3的一端；电阻R2的另一端分别连接三极管QN3的基极和三极管QN2的集电极；三极管QN1的发射极、电阻R3的另一端、三极管QN2的发射极以及三极管QN3的发射极均接地。
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百度查询： 中国电子科技集团公司第二十四研究所 一种双路偏置电流产生电路
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