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摘要：本发明公开了一种高光效Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层；空穴扩展层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层；空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层；空穴层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层；P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm‑3。实施本发明，可提升发光效率。
主权项：1.一种高光效Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、空穴扩展层、空穴存储层和空穴层；其中，所述空穴扩展层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的BN层和Mg轻掺GaN层，所述Mg轻掺GaN层中Mg掺杂浓度≤1×1018cm-3；所述空穴存储层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的GaN层、InGaN层和Mg掺AlGaN层，所述Mg掺AlGaN层中Mg掺杂浓度≤1×1020cm-3；所述空穴层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠的P型BInGaN层、Mg3N2层和P型GaN层，所述P型BInGaN层的掺杂浓度≥1×1020cm-3；所述P型GaN层的掺杂浓度≥1×1019cm-3。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 高光效Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
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