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摘要：本发明公开了一种柔性巨磁阻抗GMI效应磁传感器及其制备方法，所述传感器结构主要由惠斯通电桥和电极结构组成，所述制备方法包括：采用Kapton基底，利用光刻工艺在基底上形成第一预定义图形；利用磁控溅射技术生长惠斯通电桥结构磁性长条；利用丙酮超声清洗，去除多余的磁性薄膜；利用光刻工艺在基底上形成第二预定义图形；利用磁控溅射薄膜生长技术生长电极；利用丙酮超声清洗，去除多余的导电金属薄膜。本发明利用电桥的差分电压输出，可增强传感器的灵敏度，实现器件性能的有效提升。
主权项：1.一种柔性巨磁阻抗GMI效应磁传感器，其特征在于：包括，基底100；惠斯通电桥结构磁性条200；以及连接惠斯通电桥结构的导电电极300；其中，所述惠斯通电桥结构磁性条200为三明治结构，设置底层缓冲层201、磁性材料层202、磁性材料隔离层203、中间层204。
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百度查询： 广西电网有限责任公司电力科学研究院 西安交通大学 一种柔性巨磁阻抗GMI效应磁传感器及其制备方法
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