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申请/专利权人：昆山市鸿运通多层电路板有限公司
摘要：本发明公开了一种GMI传感器灵敏度改进结构及其改进方法，包括GMI敏感材料和驱动电源；所述GMI敏感材料包括第一导电层、第一绝缘层、GMI敏感层、第二绝缘层、第二导电层和第三绝缘层；所述第一导电层与所述第二导电层之间施加有电信号提供层间电场，所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第二导电层在层间电场的作用下形成层间电容；所述驱动电源的正负极连接GMI敏感层的两端。本发明提供了一种GMI传感器灵敏度改进结构及其改进方法，GMI敏感材料为复合结构，在该复合结构中施加层间电场使其产生层间电容，该层间电容在传感器交流工作时起到存储部分能量和抗突变干扰的作用，从而可以改善器件的稳定性能和灵敏度。
主权项：1.一种GMI传感器灵敏度改进结构，其特征在于：包括GMI敏感材料和驱动电源，所述驱动电源的正负极分别连接GMI敏感材料的两端；所述GMI敏感材料包括第一导电层、第一绝缘层、GMI敏感层、第二绝缘层、第二导电层和第三绝缘层，所述第一绝缘层形成于所述第一导电层的外表面，所述GMI敏感层形成于第一绝缘层的外表面，所述第二绝缘层形成于所述GMI敏感层的外表面，所述第二导电层形成于第二绝缘层的外表面，所述第三绝缘层形成于第二导电层的外表面；所述第一导电层与所述第二导电层之间施加有电信号提供层间电场，所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第二导电层在层间电场的作用下形成层间电容；所述驱动电源的正负极连接GMI敏感层的两端；所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述GMI敏感层、所述第二绝缘层、所述第二导电层和所述第三绝缘层的形成方式为物理沉积、化学镀层或光刻沉积。
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权利要求：
百度查询： 昆山市鸿运通多层电路板有限公司 GMI传感器灵敏度改进结构及其操作方法
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