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摘要：本发明涉及一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法，包括以下步骤S1、提供反铁磁薄膜；S2、基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子；S3、基于多个方波脉冲电流，所述若干个磁斯格明子在马格努斯力作用下靠向所述边界磁畴方向运动，所述边界磁畴对所述若干个磁斯格明子产生排斥力；S4、所述马格努斯力与所述排斥力处于平衡状态，所述若干个磁斯格明子沿着电流方向运动。本发明采用边界磁畴来保护磁斯格明子所携带的信息。
主权项：1.一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供反铁磁薄膜；S2、基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子；基于方波脉冲电流诱导出边界磁畴和若干个磁斯格明子，具体包括：施加一个方波电流脉冲诱导出若干个磁斯格明子，所述磁斯格明子在马格努斯力作用下运动；施加两个方波电流脉冲诱导出边界磁畴；S3、基于多个方波脉冲电流，基于方波脉冲电流作用下产生的马格努斯力的方向与所述方波脉冲电流方向具有夹角；所述若干个磁斯格明子在马格努斯力作用下靠向所述边界磁畴方向运动，所述边界磁畴对所述若干个磁斯格明子产生排斥力；S4、当所述磁斯格明子在所述马格努斯力作用下发生偏移时会逐渐靠近所述边界磁畴，随着两者之间的距离减小，二者之间的排斥力逐渐增大，所述马格努斯力与所述排斥力处于平衡状态，所述若干个磁斯格明子沿着电流方向运动；步骤S2-步骤S3中包括：所述方波脉冲电流的幅值均为84mA，脉冲宽度均为10微秒；在步骤S2-步骤S4中均包括：向所述反铁磁薄膜施加垂直于所述反铁磁薄膜方向的磁场。
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百度查询： 香港中文大学(深圳) 一种用边界磁畴保护反铁磁薄膜中磁斯格明子的方法
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