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摘要：本发明涉及功率射频分立器件技术领域，特别涉及一种异质结二极管及其制备方法。该方法包括：提供P型衬底；在P型衬底的上表面形成具有刚玉型晶体结构的键合中间层；提供β‑Ga2O3层；对β‑Ga2O3层进行离子注入；将β‑Ga2O3层转印至键合中间层，形成异质集成衬底；在异质集成衬底的上表面形成半导体层；从俯视方向看，异质结二极管为圆形，蚀刻使所述半导体层和异质集成衬底的圆形侧壁向所述异质结二极管的内部倾斜以形成倾斜面，倾斜面的正斜角θ小于70°且大于等于60°；对半导体层进行臭氧钝化处理；在半导体层的上表面形成金属阳极；本发明提供的异质结二极管具有较高的耐压性能击穿性能，以及较好的器件可靠性。
主权项：1.一种异质结二极管的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：提供P型衬底；在所述P型衬底的上表面形成具有刚玉型晶体结构的键合中间层；提供β-Ga2O3层，所述β-Ga2O3层具有第一表面和第二表面；对所述β-Ga2O3层的第二表面进行离子注入；将β-Ga2O3层转印至所述键合中间层，使所述β-Ga2O3层的第二表面与所述键合中间层的上表面接触，形成异质集成衬底；在所述异质集成衬底的上表面形成半导体层，所述半导体层由下至上包括缓冲N型层和N+外延层；从俯视方向看，所述异质结二极管为圆形，蚀刻使所述异质集成衬底和半导体层的圆形侧壁向所述异质结二极管的内部倾斜以形成倾斜面，所述倾斜面的正斜角θ小于70°且大于等于60°；对所述半导体层进行臭氧钝化处理；在所述半导体层的上表面形成金属阳极；可选地，在形成异质集成衬底后，在所述异质集成衬底的下表面形成金属阴极。
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百度查询： 厦门理工学院 一种异质结二极管及其制备方法
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