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摘要：本申请涉及太赫兹领域，具体提供了一种超材料半导体异质结及其制备方法与太赫兹发射应用。该异质结包括金属层和半导体层，金属层设置于半导体层表面，金属层包括阵列排布的金属微结构，金属微结构的尺寸大于金属微结构之间的间距，金属微结构在半导体层表面形成超表面。制备方法包括如下步骤：步骤1，利用化学气相沉积法在基底上制备半导体层；步骤2，在半导体层远离所述基底一侧表面上，采用电子束光刻法制备金属层。该异质结在激光照射下，产生太赫兹波；激光从金属层一侧入射，由半导体层一侧出射太赫兹波。金属层聚集了入射激光的能量，层间耦合作用下，金属层中的热载流子容易突破界面势垒进入半导体层，增大光电流，太赫兹波强度较大。
主权项：1.一种超材料半导体异质结，其特征在于，所述异质结包括金属层和半导体层，所述金属层设置于所述半导体层表面，所述金属层包括阵列排布的金属微结构，所述金属微结构在所述半导体层表面形成超表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北大学 超材料/半导体异质结及其制备方法与太赫兹发射应用
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