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摘要：本发明为一种纠错存储器系统及操作该存储器系统的方法。在一些实施例中，存储器系统包括：数据存储器；ECC存储器；及数据刷洗电路，其电耦合至ECC存储器及数据存储器。数据刷洗电路系可配置对接收刷洗数据命令作出回应，用以纠正数据存储器中的错误。用以纠错的码字长度可比数据存储器正常存取期间使用的字长度长。在一些实施例中，存储器系统包括与第一位错误率相关联的第一存储器电路，及与第二位错误率相关联的第二存储器电路。在一些实施例中，存储器系统包括可纠错的多层存储单元MLC阵列。
主权项：1.一种存储器系统，包括：一个或多个用于存储数据的存储器；以及一个或多个电路被配置为执行一种操作存储器系统的方法，该方法包括：对一部分数据即对应于某一纠错码的码字或数据单元，以下简称数据单元进行编码以生成一组校验位，其中：校验位被配置用于纠错，以及纠错数据单位比用于一个或多个存储器的正常访问的字word长度长；将生成的校验位写入一个或多个存储器中的相应分区；对纠错数据单元和校验位进行解码；通过解码的纠错数据单元和解码的校验位识别纠错数据单元和校验位中的错误；及响应于识别出错误，通过解码的校验位纠正识别出的错误。
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百度查询： 美商若响半导体股份有限公司 带有纠错及数据刷洗电路的存储器系统
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