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摘要：基于横向生长的AlGaNGaN异质结的大功率非极性紫外LED及方法，自下而上包括金刚石衬底、非极性GaN缓冲层、横向生长的周期性n型AlGaNGaN层、非极性AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN多量子阱层以及横向生长的周期性p型AlGaNGaN层。本发明通过横向生长周期性的AlGaNGaN异质结建立多条导电沟道，利用极化效应提高量子阱中的载流子注入效率，同时量子阱区域采用非极性的AlGaN，克服了量子限制斯塔克效应的影响，最后采用金刚石衬底增强散热性。
主权项：1.基于横向生长的AlGaNGaN异质结的大功率非极性紫外LED，自下而上包括衬底层、缓冲层、n型区、多量子阱层和p型区，其特征在于：所述n型区为横向生长的周期性n型AlGaNGaN异质结，所述p型区为横向生长的周期性p型AlGaNGaN异质结。
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百度查询： 西安电子科技大学 基于横向生长的AlGaN/GaN异质结的大功率非极性紫外LED及其制备方法
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