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摘要：本申请公开双沟道多栅高耐压GaNHEMT器件及制造方法，其中器件包括衬底层以及在衬底层上依次生长的GaN高阻层、GaNchannel层和第一AlGaN势垒层，第一AlGaN势垒层于靠近中部处依次生长有第一不掺杂GaN层、第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层，并于两侧对称制作有源极和漏极，第一不掺杂GaN层和第二AlGaN势垒层分别与源极和漏极连接，第二不掺杂GaN层分别与源极和漏极保持有间隙；第二不掺杂GaN层的表面依次生长有第一pGaN层和第一栅极；第一不掺杂GaN层的表面于另一侧依次生长有二次外延不掺杂GaN层、二次外延pGaN层和第二栅极，二次外延不掺杂GaN层和二次外延pGaN层均与第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层保持有间隙，从而可以通过第一栅极和第二栅极将上层和下层的2DHG引出，实现器件高耐压。
主权项：1.双沟道多栅高耐压GaNHEMT器件，其特征在于，包括衬底层以及在所述衬底层上依次生长的GaN高阻层、GaNchannel层和第一AlGaN势垒层，其中所述第一AlGaN势垒层的表面于靠近中部处依次生长有第一不掺杂GaN层、第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层，并于所述第一不掺杂GaN层的两侧对称制作有源极和漏极，其中所述第一不掺杂GaN层和所述第二AlGaN势垒层于两端分别与所述源极和所述漏极连接，所述第二不掺杂GaN层的两端分别与所述源极和所述漏极保持有间隙；所述第二不掺杂GaN层的表面依次生长有第一pGaN层和第一栅极，通过所述第一栅极将上层2DHG引出；所述第一不掺杂GaN层的表面于所述第一pGaN层和所述源极之间依次生长有二次外延不掺杂GaN层、二次外延pGaN层和第二栅极，所述二次外延pGaN层和所述第二栅极分别与所述第一pGaN层和所述第一栅极保持相同的高度，所述二次外延不掺杂GaN层和所述二次外延pGaN层均与所述第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层保持有间隙，通过所述第二栅极将下层2DHG引出。
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