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摘要：本发明公开了一种基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构及制备方法，涉及半导体器件技术领域。该GaN共源共栅Cascode结构，包括单片异质集成的薄膜晶体管TFT和氮化镓晶体管GaNHEMT，其中，TFT的漏极与GaNHEMT的源极电连接，TFT的源极与GaNHEMT的栅极电连接。本发明采用TFT和GaNHEMT单片异质集成，TFT作为Cascode结构中的常关器件，其工艺制程可以兼容后端制程工艺，通常可以在低温450°的后端工艺过程中的设备中完成生产，集成度高，大幅减小互联寄生参数，可显著提升GaN增强型Cascode结构开关频率，降低开关静态功耗。
主权项：1.一种基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构，其特征在于，包括单片异质集成的薄膜晶体管和GaNHEMT，其中，所述薄膜晶体管的漏极与所述GaNHEMT的源极电连接，所述薄膜晶体管的源极与所述GaNHEMT的栅极电连接。
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百度查询： 西安电子科技大学 基于薄膜晶体管技术的单片集成GaN共源共栅结构
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