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摘要：提供EL器件及制造方法。有机EL器件100具有基板1、驱动电路层2、第一无机保护层2Pa、有机平坦化层2Pb、有机EL元件层3及具有第一无机阻挡层12、有机阻挡层14和第二无机阻挡层16的TFE结构10。从基板的法线方向观察时，在形成有第一无机保护层的区域内形成有有机平坦化层，在形成有有机平坦化层的区域内配置EL元件，TFE结构的外缘与引出配线32交叉且在有机平坦化层的外缘与第一无机保护层的外缘之间，第一无机保护层与第一无机阻挡层在引出配线上直接接触的部分，第一无机阻挡层的与引出配线的线宽方向平行的截面的形状的侧面的锥角θ12小于90°。有机平坦化层具有算术平均粗糙度Ra为50nm以下的表面。

主权项：1.一种EL器件，其特征在于，所述EL器件包括：基板；驱动电路层，所述驱动电路层包括：形成在所述基板上的多个TFT、分别与所述多个TFT的任一个连接的多条栅极总线和多条源极总线、多个端子以及将所述多个端子和所述多条栅极总线或所述多条源极总线的任一个连接的多条引出配线；第一无机保护层，其形成在所述驱动电路层上，至少露出所述多个端子；有机平坦化层，其是形成在所述第一无机保护层上的有机平坦化层，所述有机平坦化层具有算术平均粗糙度Ra为50nm以下的表面；EL元件层，其形成在所述有机平坦化层上，且具有分别与所述多个TFT的任一个连接的多个EL元件；薄膜密封结构，其以覆盖所述EL元件层的方式形成，且具有第一无机阻挡层、与所述第一无机阻挡层的上表面接触的有机阻挡层以及与所述有机阻挡层的上表面接触的第二无机阻挡层，所述有机阻挡层形成在由所述第一无机阻挡层与所述第二无机阻挡层直接接触的无机阻挡层接合部包围的区域内，在从所述基板的法线方向观察时，在形成有所述第一无机保护层的区域内形成有所述有机平坦化层，在形成有所述有机平坦化层的区域内配置有所述多个EL元件，所述薄膜密封结构的外缘与所述多条引出配线交叉，且存在于所述有机平坦化层的外缘与所述第一无机保护层的外缘之间，在所述多条引出配线上，所述第一无机保护层和所述第一无机阻挡层直接接触的部分，所述第一无机阻挡层的与所述多条引出配线的线宽方向平行的截面的形状的侧面的锥角小于90°。

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百度查询： 堺显示器制品株式会社 EL器件及其制造方法