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摘要：本公开提供一种套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法，套刻标记用于半导体结构，半导体结构包括基底，套刻标记位于基底上，套刻标记包括：第一图案层和第二图案层，第一图案层和第二图案层对应形成于不同的图案化过程中，第一图案层和第二图案层在基底上的正投影不相重叠；第一图案层和第二图案层均包括间隔设置的多个标记，至少部分数量的标记的延伸方向和间隔设置方向相互交叉；各标记均包括多个子标记，在同一标记中，多个子标记的延伸方向的两端位于标记的延伸方向的两端。因此，本公开提供的套刻标记、半导体结构和套刻误差的测量方法，能够保证套刻误差的测量准确度，从而可以提高产品的产率和良率。
主权项：1.一种套刻标记，用于半导体结构，所述半导体结构包括基底，所述套刻标记位于所述基底上，其特征在于，所述套刻标记包括：第一图案层和第二图案层，所述第一图案层和所述第二图案层对应形成于不同的图案化过程中，所述第一图案层和所述第二图案层在所述基底上的正投影不相重叠；所述第一图案层和所述第二图案层均包括间隔设置的多个标记，至少部分数量的所述标记的延伸方向和间隔设置方向相互交叉；各所述标记均包括多个子标记，在同一所述标记中，多个所述子标记的延伸方向的两端位于所述标记的延伸方向的两端。
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