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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法，抑制了器件设计自由度的下降。具备：第一碳化硅层，其包含4H结构的碳化硅；第二碳化硅层，其层叠于第一碳化硅层的上表面，并且包含3C结构的碳化硅；第一导电型的漂移层，其设置于第一碳化硅层；第二导电型的基区，其设置于第一碳化硅层中的、漂移层的上表面侧；第一导电型的主区，其具有源极扩展区和源极接触区，源极扩展区的下表面与基区相接，并且源极扩展区设置于第一碳化硅层，源极接触区的下表面与源极扩展区相接，并且源极接触区设置于第二碳化硅层；栅极绝缘膜，其设置于贯通主区和基区的沟槽的内侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜埋入于沟槽的内侧；以及主电极，其与源极接触区相接地设置。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，具备：第一碳化硅层，其包含4H结构的碳化硅；第二碳化硅层，其层叠于所述第一碳化硅层的上表面，并且包含3C结构的碳化硅；第一导电型的漂移层，其设置于所述第一碳化硅层；第二导电型的基区，其设置于所述第一碳化硅层中的、所述漂移层的上表面侧；第一导电型的主区，其具有源极扩展区和源极接触区，所述源极扩展区的下表面与所述基区相接，并且所述源极扩展区设置于所述第一碳化硅层，所述源极接触区的下表面与所述源极扩展区相接，并且所述源极接触区设置于所述第二碳化硅层；栅极绝缘膜，其设置于贯通所述主区和所述基区的沟槽的内侧；栅极电极，其隔着所述栅极绝缘膜埋入于所述沟槽的内侧；以及主电极，其与所述源极接触区相接地设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
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