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申请/专利权人：上海晶岳电子有限公司
摘要：本发明提供一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟槽，所述衬底下形成有背面导电层；位于所述终端区中，在两个所述沟槽之间的所述外延上部形成重掺杂的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻设置，相互接触形成PN结，降低了调整触发电压的工艺难度，在相同单位面积内具有更小的动态电阻，极大地降低了器件的箝位系数，提高了器件的静电防护、电流泄放能力及单位面积利用率。
主权项：1.一种单向平面二极管的TVS器件，包括基板，所述基板被划分为元胞区和终端区，所述元胞区和所述终端区之间设有过渡区，所述基板自下而上包括重掺杂第一导电类型的衬底、轻掺杂第一导电类型的外延，所述外延上设置开口向上的沟槽，所述衬底下形成有背面导电层，其特征在于，位于所述元胞区中，所述沟槽的底部和下端内侧面设置有第一氧化层，在所述第一氧化层内填充有第一多晶硅，在所述第一多晶硅上方设置有第二氧化层，所述外延上表面设置有第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述沟槽的上端内侧，所述第三氧化层内填充有第二多晶硅，所述第三氧化层上表面以及所述第二多晶硅上表面覆盖有第四氧化层，在所述外延上部形成第二导电类型的基区，在所述基区上部，沿所述沟槽方向分别形成重掺杂的第一导电类型的源区和重掺杂的第二导电类型的体区；位于所述终端区中，所述沟槽的底部和内侧面设置有第一氧化层，在所述第一氧化层内填充有第一多晶硅，在所述第一多晶硅上方设置有第二氧化层，所述外延上表面设置有第三氧化层，在所述终端区边缘的所述外延上部形成第二导电类型的基区，在两个所述沟槽之间的所述外延上部形成重掺杂的第一导电类型的第一掺杂区和第二导电类型的第二掺杂区，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区相邻设置，呈横向排列，相互接触形成PN结；所述第三氧化层上表面以及所述第二氧化层上表面覆盖有第四氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海晶岳电子有限公司 一种单向平面二极管的TVS器件及其制造方法
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