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申请/专利权人：湘潭大学
摘要：本发明公开一种确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法。本发明包括切割单晶体、在截面1上做与一次枝晶平行的标记线1、垂直截面1切割标定试样1、在截面2上做与一次枝晶平行的标记线2、垂直截面2切割标定试样2和在截面3上标定晶体取向等步骤。本发明可以确定任意形状镍基单晶高温合金的三维晶体取向，突破了现有技术只能确定具有中心轴特征的铸态块状材料的局限，同时流程简单、对设备要求低。
主权项：1.一种确定铸态立方晶系单晶体三维晶体取向的方法，其特征在于，包括如下步骤：1切割单晶体对于任意形状的单晶体，选取任意方向切割出一个截面1，得到标定试样1，对截面1进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面1上得到一次枝晶和二次枝晶；2在截面1上做与一次枝晶平行的标记线1在截面1上划线做为标记线1，标记线1平行于截面1中任意一条二次枝晶的方向；3垂直截面1切割标定试样1垂直截面1且平行于标记线1对标定试样1进行切割，得到截面2和标定试样2，对截面2进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面2上得到一次枝晶和二次枝晶；4在截面2上做与一次枝晶平行的标记线2在截面2上划线做为标记线2，标记线2平行于截面2中任意一条一次枝晶的方向；5垂直截面2切割标定试样2垂直截面2且平行标定线2对标定试样2进行切割，得到截面3和标定试样3，对截面3进行磨制和抛光处理，并进行微观腐蚀，在所述截面3上得到一次枝晶和二次枝晶；6在截面3上标定晶体取向在截面3上划线作001方向标记线，并使该001方向标记线平行于一次枝晶方向，所述001方向标记线的方向即为单晶001方向，在截面3上继续划线作一次枝晶方向的垂线，所述垂线为100方向标记线或010方向标记线；所述100方向标记线的方向即为单晶100方向，所述010方向标记线的方向即为单晶010方向。
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