龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管，第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管，第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属；其中，在形成第一源漏金属之前，形成第一绝缘层，第一绝缘层位于第一晶体管的第一栅极结构上，第一绝缘层用于隔离第一栅极结构与第一源漏金属；在形成第二源漏金属之前，形成第二绝缘层，第二绝缘层位于第二晶体管的第二栅极结构上，第二绝缘层用于隔离第二栅极结构与第二源漏金属。
主权项：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，所述第一有源结构相对于所述第二有源结构远离所述衬底；基于所述第一有源结构，形成第一晶体管，所述第一晶体管包括第一源漏结构和第一源漏金属；倒片并去除所述衬底，以暴露所述第二有源结构；基于所述第二有源结构，形成第二晶体管，所述第二晶体管包括第二源漏结构和第二源漏金属；其中，在形成所述第一源漏金属之前，形成第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一晶体管的第一栅极结构上，所述第一绝缘层用于在形成所述第一源漏金属时，隔离所述第一栅极结构与所述第一源漏金属；在形成所述第二源漏金属之前，形成第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第二晶体管的第二栅极结构上，所述第二绝缘层用于在形成所述第二源漏金属时，隔离所述第二栅极结构与所述第二源漏金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号