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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本发明提供一种三维存储器的制造方法、三维存储器及光罩，在本发明所提供的三维存储器的制造方法中，形成的虚拟沟道孔在衬底上的垂直投影形状具有倾向性，最终刻蚀得到的虚拟沟道孔在衬底上的垂直投影形状不再是沿着各个方向均匀分布的圆形，而是具有一定倾向性的椭圆或者接近椭圆的形状，增加了虚拟沟道孔和后续形成的接触孔之间套刻偏移量的窗口间距，降低了二者间重叠合并的风险，使得后续形成的插塞几乎不会沿着虚拟沟道结构钻到下面造成栅极层的泄露，从而增强了三维存储器的结构稳定性和电学性能。
主权项：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成堆栈结构，所述堆栈结构具有台阶区和核心区，且所述堆栈结构包括层叠交替设置的第一介电层和伪栅极层；形成垂直贯穿所述台阶区和或所述核心区的虚拟沟道孔，且所述虚拟沟道孔在所述衬底上的垂直投影形状具有倾向性，所述倾向性包括沿着某一方向的尺寸大于沿着其他方向的尺寸，其中，部分所述虚拟沟道孔沿X轴方向延伸，部分所述虚拟沟道孔分别与X轴方向、Y轴方向形成夹角；填充所述虚拟沟道孔，形成虚拟沟道结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器的制造方法、三维存储器及光罩
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