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申请/专利权人：桑名金属工业株式会社
摘要：基于针对缔合性气体获取到的平衡蒸气压的数据，确定能够不发生缔合地供给缔合性气体的最大容许压力PmaxT，调整缔合性气体的压力和或温度以使所测定出的缔合性气体的压力不超过最大容许压力。优选的是，基于以不易发生缔合的校准气体为基准时的缔合性气体的转换因子CF的稳定区域来确定最大容许压力PmaxT。由此，能够向半导体制造装置稳定地供给容易发生化学性缔合的缔合性气体。
主权项：1.一种方法，是向半导体制造装置供给容易发生缔合的缔合性气体的方法，包括以下步骤：根据使用于半导体器件的制造的目的来选择一种缔合性气体；针对所选择的缔合性气体获取作为温度T的函数的、平衡蒸气压PeT的数据；基于平衡蒸气压PeT的数据确定能够不发生缔合地供给缔合性气体的最大容许压力PmaxT；测定向半导体制造装置供给的缔合性气体的温度Tg及压力Pg；确定所测定出的温度Tg下的最大容许压力PmaxTg的值；以及调整压力Pg和或温度Tg以使所测定出的压力Pg不超过所确定的最大容许压力PmaxTg的值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑名金属工业株式会社 向半导体制造装置供给缔合性气体的方法
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