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申请/专利权人:安徽华晟新能源科技股份有限公司
摘要:本申请提供了一种半导体衬底的制备方法,包括:提供初始衬底,所述初始衬底包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面包括开槽区和制绒区;在所述第一表面上形成图形化金属膜,图形化金属膜位于所述开槽区;通过腐蚀溶液,对所述图形化金属膜的接触界面、以及所述制绒区进行腐蚀处理,得到位于所述开槽区的凹槽和位于凹槽内的部分图形化金属膜,以及将制绒区腐蚀出绒面结构,腐蚀溶液中至少包括氧化剂、刻蚀剂和金属盐。本申请中初始体衬底经过腐蚀处理后,其开槽区形成了凹槽,同时,制绒区形成了绒面结构,因此可以在同一制备工艺中完成开槽和制绒,简化了太阳能电池的制备工艺。本申请还提供一种太阳能电池的制备方法、和一种太阳能电池。
主权项:1.一种半导体衬底的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供初始衬底,所述初始衬底包括相对的第一表面和第二表面,所述初始衬底由半导体材料制成,所述第一表面包括开槽区和制绒区;在所述第一表面上形成图形化金属膜,所述图形化金属膜位于所述开槽区;通过腐蚀溶液,对所述图形化金属膜的接触界面、以及所述制绒区进行腐蚀处理,得到位于所述开槽区的凹槽和位于所述凹槽内的部分所述图形化金属膜,以及将所述制绒区腐蚀出绒面结构,其中,所述凹槽的位置与所述图形化金属膜的位置一致,所述腐蚀溶液中至少包括氧化剂、刻蚀剂和金属盐,所述图形化金属膜被所述腐蚀溶液分解而形成的金属颗粒的氧化性大于所述金属盐中金属离子的氧化性。
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百度查询: 安徽华晟新能源科技股份有限公司 半导体衬底的制备方法、太阳能电池及其制备方法
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