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申请/专利权人：英特尔NDTM(美国)有限责任公司
摘要：用于高纵横比AR3DNAND结构的工程化电介质轮廓的方法和装置。3DNAND结构包括具有多个堆叠的存储器层级的半导体结构，所述多个堆叠存储器层级包括使用形成在半导体结构中的垂直结构充电的存储器单元的2D阵列。存储器层级包括介于隔离层之间的字线层。垂直结构诸如存储器孔或沟槽具有沿着孔或沟槽的侧壁形成的具有截面轮廓的电介质例如，隧道电介质，其中，电介质在底部字线层处的厚度比用于底部字线层上方的字线层的至少一部分的电介质厚度更厚。在一个示例中，隧道电介质的形成采用工程化轮廓的夹层设计方法，其中，在垂直结构的底部区段处沉积电介质的选择性沉积，而结构的其余部分不改变。
主权项：1.一种制造三维3DNAND存储器结构的方法，包括：在包括多个堆叠层的半导体结构中形成存储器孔，所述存储器孔具有至少25:1的深度与直径纵横比；以及在所述存储器孔的侧壁上形成具有截面轮廓的电介质，其中，所述电介质的靠近所述存储器孔的底部的第一厚度大于或等于所述电介质的在所述存储器孔的所述底部上方的存储器孔的至少一部分中的第二厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔NDTM(美国)有限责任公司 用于高纵横比3D NAND结构的工程化电介质轮廓
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