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申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司
摘要：本发明公开一种基于NANDFlash的坏块管理方法，本方法将两种坏块管理策略结合起来，根据SSD的不同Die上的坏块情况来采用不同的坏块管理方式对坏块进行管理。在SSD的生命周期初期，这时的坏块较少，宜采用替换策略的坏块管理方式，随着时间的推移，坏块变多，此时宜采用略过策略管理坏块。在整个SSD生命周期中统计每一条Die上坏块个数，根据每一条Die上坏块个数来判断调整坏块管理方式。将两种坏块管理方式的优势结合起来，保证写入并行度的同时还能避免因某一个Die上坏块过多造成的整个SSD可使用空间变少的情况。
主权项：1.一种基于NANDFlash的坏块管理方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一：通电上电；步骤二：全盘扫描，统计第i个Die上的初始坏块数cnti，0≤i≤N-1，N为整个SSD上NANDFlash所有的Die的个数；步骤三：设定一个阈值TH1，如果某一个Die上的坏块数超过这个阈值，就认为这个Die为坏Die，如果这个Die上的坏块数不超过这个阈值，认为该Die为好Die；步骤四：定义一个统计坏Die个数的参数count，设定一个阈值TH2，如果count大于等于TH2，则将坏块管理策略更换为略过策略，结束流程，如果count小于TH2，则执行步骤五；步骤五：在数据写入时，遇到坏块，对应Die上的坏块数加1，同时固件采用替换策略管理坏块，返回步骤三；略过策略是在写入时遇到坏块直接放弃该块，直接把数据写到下一个Die上的对应块上；替换策略是把闪存空间分成两个区域：用户空间以及预留空间，在用户空间写入时发现某一个Die上有坏块，则要把写入的数据写到该Die预留空间的块上，无需跳到下一个Die上；步骤二初始化坏块管理策略为替换策略，将SSD闪存空间划分为用户空间及预留空间，步骤四将坏块管理策略更换为略过策略时，同时将预留空间与用户空间划分条件删除，统一作为用户空间使用。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种基于NAND Flash的坏块管理方法
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