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申请/专利权人：深圳市泉彗达科技有限公司
摘要：本申请实施例公开了一种NAND闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备，涉及计算机领域。本申请通过引入SRAM作为数据缓冲区并优化NAND闪存的数据处理方法，为高频次数据量小的嵌入式系统应用场景提供了一种有效的解决方案。它不仅能够延长NAND闪存的寿命，还能提高数据写入效率、降低系统功耗并增强系统稳定性。
主权项：1.一种NAND闪存的数据处理方法，其特征在于，包括：检测到NAND闪存上电时，将所述NAND闪存中的数据缓存到SRAM中；接收针对所述NAND闪存的写指令，所述写指令携带写地址和写数据；根据所述写地址在所述SRAM查询对应的目标页，若查询到写目标页，以及将所述写数据写入到所述目标页中；检测到满足预设的写回条件时，比较所述SRAM中的数据和所述NAND闪存中的数据是否相同，若不同，将所述SRAM中数据同步到所述NAND闪存中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市泉彗达科技有限公司 NAND闪存的数据处理方法、装置、存储介质及电子设备
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