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申请/专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种反铁电神经形态器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底上生成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层。本发明的有益效果在于：实现铪锆氧化物反铁电材料的非易失性，在非易失性基础上，能够实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强抑制的神经突触形态学特征与功能。
主权项：1.一种反铁电神经形态器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上生成第一金属层，作为第一电极；在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜；在铪锆氧化物薄膜上形成第二金属层；通过快速热处理使铪锆氧化物薄膜结晶并产生反铁电性；去除第二金属层；在铪锆氧化物薄膜上形成第三金属层；在第三金属层上形成第四金属层，作为第二电极；其中，所述第一电极对应的第一金属层与第二电极对应的第三金属层和第四金属层的功函数不同。
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百度查询： 复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种反铁电神经形态器件及其制备方法
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