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申请/专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司
摘要：公开了一种双向功率器件及其制造方法，双向功率器件包括半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的分压介质层；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开。本申请通过在控制栅上方形成分压介质层，从而使控制栅远离源区和漏区，在双向功率器件截止时，该分压介质层承担了纵向方向上源区和漏区施加的高压，提高双向功率器件的耐压特性。
主权项：1.一种双向功率器件，其特征在于，包括：半导体层；位于半导体层中的沟槽；位于所述沟槽侧壁上的栅介质层；位于所述沟槽下部的控制栅；位于所述沟槽上部的分压介质层；以及位于所述半导体层中且邻近所述分压介质层的源区和漏区；其中，所述控制栅与所述半导体层之间由所述栅介质层隔开；所述源区和漏区的长度大于所述分压介质层的长度，小于所述分压介质层和所述控制栅的长度之和。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州士兰微电子股份有限公司 双向功率器件及其制造方法
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