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申请/专利权人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要:本发明涉及光学元件加工技术领域,尤其涉及一种磁流变抛光去除划痕时的最佳进刀方向选择方法,控制缺陷检测单元提取光学元件上的划痕位置坐标,再对划痕位置坐标进行拟合,得到划痕曲线;再计算划痕曲线上每个点的归一化法向量的同向范围内的累积划痕长度,最长的累积划痕长度对应的归一化法向量方向为最佳进刀方向;将磁流变抛光模块替换缺陷检测单元安装在磁流变抛光驱动单元的工具端;测量光学元件的面形误差和磁流变去除函数,计算得到对光学元件加工时的驻留时间;最后根据最佳进刀方向和驻留时间对光学元件进行全口径加工。本发明可以完成划痕的高效率去除,大幅缩短大口径光学元件划痕去除的加工周期,实现大口径光学元件的快速制造。
主权项:1.一种磁流变抛光去除划痕时的最佳进刀方向选择方法,其特征在于:包括以下步骤:S1:将缺陷检测单元设置在磁流变抛光驱动单元的工具端,将待检测划痕的光学元件设置在所述缺陷检测单元的检测范围内;S2:控制所述缺陷检测单元提取所述光学元件上的划痕位置坐标,再对所述划痕位置坐标进行拟合,得到划痕曲线;S3:计算所述划痕曲线上每个点的归一化法向量的同向范围内的累积划痕长度,最长的累积划痕长度对应的归一化法向量方向为最佳进刀方向;S4:将磁流变抛光模块替换所述缺陷检测单元安装在所述磁流变抛光驱动单元的工具端;测量所述光学元件的面形误差和磁流变去除函数,计算得到对所述光学元件加工时的驻留时间;S5:控制所述磁流变抛光模块根据所述最佳进刀方向和所述驻留时间对所述光学元件进行全口径加工。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 磁流变抛光去除划痕时的最佳进刀方向选择方法
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