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一种精确控制纳米划痕深度的装置及实验方法 

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申请/专利权人:大连理工大学

摘要:本发明提供一种精确控制纳米划痕深度的装置及实验方法,属于微纳米力学测试分析技术领域。装置包括上盖、底座和布置于上盖、底座之间的四个可伸缩调节杆,待测样件置于上盖上平面。基于上述装置,针对指定划痕深度的纳米划痕测试时,通过伸长或缩短调节杆的高度,使样品表面向倾斜角度相反的方向调节,抵消倾斜角度,实现对待测样件表面的倾斜进行矫正。本发明解决了力控制方式或常规位移控制的纳米划痕无法满足的测试需求,实现真正意义上指定划痕深度的纳米划痕测试。

主权项:1.一种精确控制纳米划痕深度的装置,其特征在于,所述的装置包括上盖1、底座2和布置于上盖1、底座2之间的四个可伸缩的调节杆,待测样件置于上盖1上平面;所述四个调节杆分别为调节杆3a、调节杆3b、调节杆3c、调节杆3d;所述的上盖1为正方体板状结构,厚度远小于边长,上下面均为平面,下平面加工制造有四个相同的半球状凹槽;所述的底座2为正方体板状结构,厚度远小于边长,上下面均为平面,上平面固定有四个调节杆;所述的调节杆3a、调节杆3b、调节杆3c、调节杆3d均为可伸缩的杆状结构,四个调节杆固定于底座2上;四个调节杆的上端均加工制作成结构相同的半球状凸起,与上盖1下平面的半球状凹槽配合。

全文数据:

权利要求:

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