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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本发明提供了一种金属钴薄膜及其硅化物的制备方法。本发明的金属钴薄膜的制备方法，包括如下步骤：S1：对硅基三维衬底进行预处理，得到预处理硅基三维衬底；S2：将预处理硅基三维衬底置于第一反应腔体中，采用第一气体作为载气，依次脉冲第一钴前驱体和第一反应气体进行第一原子层沉积，在预处理硅基三维衬底上形成钴缓冲层；S3：将形成钴缓冲层的预处理硅基三维衬底置于第二反应腔体中，采用第二气体作为载气，依次脉冲第二钴前驱体和第二反应气体进行第二原子层沉积，在钴缓冲层上形成金属钴薄膜。本发明的金属钴薄膜及其硅化物能够良好地满足新型器件的应用需求。
主权项：1.一种金属钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：对硅基三维衬底进行预处理，得到预处理硅基三维衬底；S2：将预处理硅基三维衬底置于第一反应腔体中，采用第一气体作为载气，依次脉冲第一钴前驱体和第一反应气体进行第一原子层沉积，在预处理硅基三维衬底上形成钴缓冲层；S3：将形成钴缓冲层的预处理硅基三维衬底置于第二反应腔体中，采用第二气体作为载气，依次脉冲第二钴前驱体和第二反应气体进行第二原子层沉积，在钴缓冲层上形成金属钴薄膜。
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