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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开一种Ga2O3紫外光电探测器及其制备方法和应用，该制备方法首先采用原子层沉积法在衬底上制备非晶Ga2O3薄膜，将产物在氮气气氛下进行退火处理后得到结晶的Ga2O3薄膜；在所述结晶的Ga2O3薄膜上利用光刻工艺、磁控溅射技术和剥离工艺制备叉指电极，制得所述Ga2O3紫外探测器。该方法采用原子层沉积法制备Ga2O3薄膜，该方法制备的氧化镓薄膜结晶质量高，且更为均匀、致密，内部缺陷少，更有利于减少薄膜内部缺陷对光生载流子的俘获和释放，从而制备出具有更快光谱响应速度的氧化镓基紫外光电探测器，从而使得探测器可在更为高频的探测领域中应用。
主权项：1.一种Ga2O3紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：采用原子层沉积法在衬底上制备非晶Ga2O3薄膜，将产物在氮气气氛下进行退火处理后得到结晶的Ga2O3薄膜；S2：在所述结晶的Ga2O3薄膜上利用光刻工艺、磁控溅射技术和剥离工艺制备叉指电极，制得所述Ga2O3紫外光电探测器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 一种Ga2O3紫外探测器及其制备方法和应用
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