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申请/专利权人：秀博瑞殷株式公社
摘要：本发明涉及一种薄膜遮蔽剂、包含其的薄膜形成用组合物、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件，其中，通过应用薄膜遮蔽剂以改善反应速度并适当降低薄膜生长率，从而即便在高温条件下在具有复杂结构的基板上形成薄膜，也能大幅提高阶梯覆盖性和薄膜的厚度均匀性，以形成无缝薄膜，并降低杂质，从而改善膜质。
主权项：1.一种薄膜遮蔽剂，在基板上沉积金属氧化膜或非金属氧化膜时使用，其特征在于，上述薄膜遮蔽剂包含电负性介于构成上述氧化膜的金属或非金属的电负性与氧的电负性之间的至少一个元素，且用于遮蔽上述沉积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 秀博瑞殷株式公社 薄膜遮蔽剂、利用其的薄膜形成方法、由该方法制造的半导体基板以及半导体器件
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