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申请/专利权人：无锡晶湛半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种复合衬底，由依次层叠设置的支撑衬底、图形化埋层和生长衬底构成，图形化埋层远离支撑衬底的一侧存在多个凹槽，生长衬底位于图形化埋层之上、并填充凹槽，至少部分生长衬底位于凹槽内，沿着多个凹槽排列的方向，至少部分生长衬底与至少部分图形化埋层互相交错，提升复合衬底的机械强度，生长衬底用于后续外延制作半导体器件，进而改善所制作器件的特性。
主权项：1.一种复合衬底，其特征在于，包括：依次层叠设置的支撑衬底、图形化埋层和生长衬底；所述图形化埋层远离所述支撑衬底的一侧包括多个凹槽，所述生长衬底包括第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述凹槽，所述第二部分位于所述第一部分远离所述支撑衬底的一侧、并且覆盖所述图案化埋层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡晶湛半导体有限公司 一种复合衬底及其制作方法、一种半导体结构
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