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申请/专利权人：中山大学·深圳;中山大学

摘要：本发明涉及堆叠式封装结构的技术领域，提供了一种嵌入式堆叠封装方法和封装结构，包括：S1：预备第一陶瓷基板并在所述第一陶瓷基板的上表面覆盖第一上导电金属层；S2：在所述第一上导电金属层上形成第一焊料层；S31：所述第二陶瓷基板的下表面覆盖有第二下导电金属层；所述第一下芯片镶嵌在所述第二陶瓷基板上的第一孔内；S4：在所述第一下芯片的上表面形成第二焊料层；S5：通过热处理将所述第一下芯片、第二陶瓷基板和所述第一陶瓷基板进行集成固定；S61：形成第三焊料层；S7：将第一绝缘焊料注入所述第一下芯片和所述第二陶瓷基板之间的间隙内；S8：覆盖第三下导电金属层；S9：通过热处理将所述具有导电孔的预定基板与所述第二陶瓷基板集成固定。

主权项：1.一种嵌入式堆叠封装方法，其特征在于，包括：S1：预备第一陶瓷基板并在所述第一陶瓷基板的上表面覆盖第一上导电金属层；S2：在所述第一上导电金属层上形成第一焊料层；S3：包括：S31或S32；S31：预备第二陶瓷基板和第一下芯片；其中，所述第二陶瓷基板的下表面覆盖有第二下导电金属层，所述第二陶瓷基板的上表面覆盖有第二上导电金属层；所述第二下导电金属层铺设在第一焊料层上；所述第一下芯片镶嵌在所述第二陶瓷基板上的第一孔内；S32：预备第一下芯片；S4：在所述第一下芯片的上表面形成第二焊料层；S5：在所述第二焊料层上铺设第一下低膨胀系数导电金属垫片；通过热处理将所述第一下芯片、第二陶瓷基板和所述第一陶瓷基板进行集成固定；S6：包括：S61或S62；S61：当执行所述S31时，在所述第二上导电金属层的上表面和所述第一下低膨胀系数导电金属垫片的上表面上形成第三焊料层；S62：当执行所述S32时，在所述第一下低膨胀系数导电金属垫片的上表面上形成第三焊料层；S7：当执行所述S61时，将第一绝缘焊料注入所述第一下芯片和所述第二陶瓷基板之间的间隙内；S8：预备具有导电孔的预定基板并在所述具有导电孔的预定基板的下表面覆盖第三下导电金属层；S9：将所述第三下导电金属层贴放在所述第三焊料层上，所述第三下导电金属层通过所述第一下芯片与所述第一上导电金属层电性连接；通过热处理将所述具有导电孔的预定基板与所述第二陶瓷基板集成固定。

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权利要求：

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