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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种包含MCT层的产品的返工方法，包括：提供包含缺陷MCT层的产品，MCT层包括层间介质层，位于层间介质层内的接触孔以及位于层间介质层表面的多个膜层，多个膜层中至少一个膜层具有缺陷，其中多个膜层包括位于层间介质层表面的下级板，位于下级板表面的金属层，位于金属层表面的上极板，分别位于部分上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层；研磨去除抗反射层；依次研磨氮化钛层、第一氮化层、第二氮化层和上极板，以露出金属层的表面；刻蚀金属层，以露出下级板的表面；研磨下级板，以露出接触孔和层间介质层的表面。
主权项：1.一种包含MCT层的产品的返工方法，其特征在于，包括：提供包含缺陷MCT层的产品，所述MCT层包括层间介质层，位于所述层间介质层内的接触孔以及位于所述层间介质层表面的多个膜层，多个所述膜层中至少一个膜层具有缺陷，其中多个所述膜层包括位于所述层间介质层表面的下级板，位于所述下级板表面的金属层，位于所述金属层表面的上极板，分别位于部分所述上极板表面的第一氮化层和第二氮化层，位于所述第一氮化层表面的氮化钛层，以及同时位于所述氮化钛层和第二氮化层表面的抗反射层；研磨去除所述抗反射层；依次研磨氮化钛层、第一氮化层、第二氮化层和上极板，以露出所述金属层的表面；刻蚀所述金属层，以露出所述下级板的表面；研磨所述下级板，以露出所述接触孔和层间介质层的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 包含MCT层的产品的返工方法
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