买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

摘要：本发明公开了一种硅控整流器包括：N阱和P阱形成于P型半导体衬底上；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区形成于N阱上；第二高浓度N型掺杂区和第二高浓度P型掺杂形成于P阱上；第三高浓度P型掺杂区形成于N阱和P阱分界处上方，且与第二高浓度N型掺杂区邻接,第三高浓度P型掺杂区上表面形成有非金属硅化层；第一高浓度P型掺杂区和第一高浓度N型掺杂区之间形成有第一宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区和第三高浓度P型掺杂区之间形成有第二宽度的N阱，第一高浓度N型掺杂区宽度为第三宽度，第三高浓度P型掺杂区宽度为第四宽度。本发明还公开了一种硅控整流器制造方法。本发明降低了寄生NPN三极管的电流增益,进而能减小实现无回滞效应所需保护环宽度，因此能节省版图面积。

主权项：1.一种无回滞效应硅控整流器，其特征在于，包括：P型半导体衬底（80）；N阱（60）和P阱（70），形成于P型半导体衬底（80）上部；第一高浓度P型掺杂区（20）和第一高浓度N型掺杂区（28），形成于N阱（60）上部；第二高浓度N型掺杂区（24）和第二高浓度P型掺杂区（26），形成于P阱（70）上部；第三高浓度P型掺杂区（22），形成于N阱（60）和P阱（70）分界处上方，且与第二高浓度N型掺杂区（24）邻接；第三高浓度P型掺杂区22上表面形成非金属硅化层；第一浅沟槽隔离（10），与第一高浓度P型掺杂区（20）邻接，形成在第一高浓度P型掺杂区（20）左侧N阱（60）中；第二浅沟槽隔离（14），与第二高浓度N型掺杂区（24）和第二高浓度P型掺杂区（26）邻接，形成在第二高浓度N型掺杂区（24）和第二高浓度P型掺杂区（26）之间P阱（70）中；第三浅沟槽隔离（16），与第二高浓度P型掺杂区（26）邻接，形成在第二高浓度P型掺杂区（26）右侧P阱（70）中；其中，第一高浓度P型掺杂区（20）和第一高浓度N型掺杂区（28）之间形成有第一宽度（S）的N阱（60），第一高浓度N型掺杂区（28）和第三高浓度P型掺杂区（22）之间形成有第二宽度（D1）的N阱（60），第一高浓度N型掺杂区（28）宽度为第三宽度（D2），第三高浓度P型掺杂区（22）宽度为第四宽度（D3）；其用于ESD保护时，通过金属将第一高浓度P型掺杂区（20）和第一高浓度N型掺杂区（28）连接作为ESD保护结构的阳极，通过金属将第二高浓度N型掺杂区（24）和第二高浓度P型掺杂区（26）连接作为ESD保护结构的阴极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 一种硅控整流器及其制造方法