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申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种氧化物靶材及其制备方法。所述氧化物靶材包括元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌、锡中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镱、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，钽，锗，锑的一种或两种以上组合。本发明通过在氧化物靶材中引入M的氧化物，细化了氧化物靶材的晶粒尺寸，使氧化物靶材致密度高，元素分布与微观结构均匀。此外，本发明提供的制备方法可以实现控制氧化物靶材晶相结构的目的，使氧化物靶材具有较小的晶粒尺寸且微观结构均匀。
主权项：1.一种氧化物靶材，其特征在于，原料为元素A的氧化物、元素B的氧化物、元素R的氧化物和元素M的氧化物；所述元素A为铟；所述元素B为镓、锌中的一种或两种以上的组合；所述元素R为铈、镨、镝、铽中的一种或两种以上的组合；所述元素M为钪，硅，钛，锗，锑的一种或两种以上组合；元素A，B，R和M在氧化物靶材中的原子摩尔比分别为x，y，z和m，其中0.6≤x≤0.9994，0.08≤y≤0.3994，0.0005≤z≤0.05，0.001≤m≤0.02，x+y+z+m=1；氧化物靶材的电阻率小于10mΩ·cm，氧化物靶材的相对密度为98.5％以上；所述的氧化物靶材采用如下方法制备：步骤1、将粉体压制成靶材素坯；步骤2、将靶材素坯干燥后进行脱脂处理；步骤3、将脱脂后的靶材素坯在气体环境中以第一升温速率继续升温到第一烧结温度烧结，然后以第二升温速率继续升温至第二烧结温度烧结，最后以第一降温速率降温至第一烧结温度继续烧结；所述第一升温速率为0.1～5℃分钟，第一烧结温度为1200℃~1400℃；所述第二升温速率为5～10℃分钟，第二烧结温度为1410~1600℃；烧结过程进行多次重复；第一烧结温度下每次保温时间为10~250小时；第二烧结温度每次保温时间为10～60分钟；步骤4、烧结结束后，在气体环境下以第二降温速率进行降温直至室温，得到靶材烧结体；步骤5：将靶材烧结体加工、绑定。
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权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种氧化物靶材及其制备方法
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