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申请/专利权人：先导薄膜材料(广东)有限公司
摘要：本发明涉及靶材生产技术领域，公开了一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其步骤包括，先将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10％，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；随后，将制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；再将掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材，通过上述方法制备得到的掺硅锗锑碲靶材具有纯度高、相对密度大的特点，并且上述掺硅锗锑碲靶材也解决了传统制备薄膜时双靶溅射难以搭配和控制溅射速率的问题。
主权项：1.一种掺硅锗锑碲靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：混合，将硅粉、GexSbyTez粉混合且硅粉的质量占粉体总质量的2～10%，随后进行湿法球磨、静置、烘干，制得掺硅锗锑碲粉体；步骤2：将步骤1制得的掺硅锗锑碲粉体真空热压，制得掺硅锗锑碲毛坯；步骤3：将步骤2制得的掺硅锗锑碲毛坯进行机械加工，得到掺硅锗锑碲靶材；所述静置的时间为1～2小时。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 先导薄膜材料(广东)有限公司 一种掺硅锗锑碲靶材及其制备方法
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