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申请/专利权人：株式会社日本显示器;出光兴产株式会社
摘要：氧化物半导体膜是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜包含铟In元素和选自由铝Al元素、镓Ga元素、钇Y元素、钪Sc元素及镧系元素组成的组中的第一金属M1元素，氧化物半导体膜包含多个晶粒，该多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的晶体取向的占有率中，晶体取向＜111＞的占有率比晶体取向＜001＞的占有率及晶体取向＜101＞的占有率大。
主权项：1.氧化物半导体膜，其是设置在基板之上的具有结晶性的氧化物半导体膜，其中，所述氧化物半导体膜包含：铟In元素；和选自由铝Al元素、镓Ga元素、钇Y元素、钪Sc元素及镧系元素组成的组中的第一金属M1元素，所述氧化物半导体膜包含多个晶粒，所述多个晶粒分别包括通过EBSD电子背散射衍射法获取的晶体取向＜001＞、晶体取向＜101＞及晶体取向＜111＞中的至少一者，在基于具有相对于所述基板的表面的法线方向而言的晶体取向差为0°以上15°以下的晶体取向的测定点算出的所述晶体取向的占有率中，所述晶体取向＜111＞的占有率比所述晶体取向＜001＞的占有率及所述晶体取向＜101＞的占有率大。
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权利要求：
百度查询： 株式会社日本显示器 出光兴产株式会社 氧化物半导体膜、薄膜晶体管及电子设备
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