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申请/专利权人：复旦大学;嘉善复旦研究院
摘要：本发明提供了一种重掺杂衬底源区围栅晶体管，包括衬底、源区、漏区、围栅沟道控制栅以及沟道层；其中源区、漏区及沟道层沿第一方向排列；源区与漏区中重掺杂有第一离子；其中，第一方向表征为所述围栅MOSFET器件的沟道的方向；衬底中形成有一衬底源区，衬底源区与源区相对设置，且衬底源区在第一方向上的宽度大于源区在第一方向上的宽度，衬底源区重掺杂有第二离子，且第二离子的类型与第一离子的类型相反。该技术方案能有效地抑制围栅晶体管底部的关态寄生泄漏电流，且实现方式更加简便。
主权项：1.一种重掺杂衬底源区围栅晶体管，其特征在于，包括：围栅MOSFET器件，包括衬底、源区、漏区、围栅沟道控制栅以及沟道层；所述源区、所述漏区及所述沟道层沿第一方向排列；其中所述源区与所述漏区中重掺杂有第一离子；其中，所述第一方向表征为所述围栅MOSFET器件的沟道的方向；其中，所述衬底中形成有一衬底源区，所述衬底源区与所述源区相对设置，且所述衬底源区在所述第一方向上的宽度大于所述源区在所述第一方向上的宽度，所述衬底源区重掺杂有第二离子，且所述第二离子的类型与所述第一离子的类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 嘉善复旦研究院 重掺杂衬底源区围栅晶体管、电子设备及制备方法
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