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申请/专利权人：日日新半导体架构股份有限公司
摘要：本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构。所述晶体管结构包含一本体、一栅极结构、一源极区和一漏极区。所述本体具有单凸结构，其中所述单凸结构由一第一半导体材料制成，且在所述单凸结构中形成一沟槽。所述栅极结构具有一栅极导电层及一栅极介电层，其中所述栅极导电层横跨所述单凸结构上方，且所述栅极导电层的部分填入所述沟槽内。所述源极区与所述单凸结构的第一端接触。所述漏极区与所述单凸结构的第二端接触。所述晶体管结构的导通电流与关闭电流的比值不小于106。因此，相较于现有技术，所述晶体管结构不仅能够有效地减少所述晶体管在关闭状态下的漏电流路径，同时也大大增加了所述晶体管在导通状态下的传导电流。
主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于包含：一本体，具有一单凸结构，其中所述单凸结构由一第一半导体材料制成，且在所述单凸结构中形成一沟槽；一栅极结构，具有一栅极导电层及一栅极介电层，其中所述栅极导电层横跨所述单凸结构上方，且所述栅极导电层的部分填入所述沟槽内；一源极区，与所述单凸结构的第一端接触；及一漏极区，与所述单凸结构的第二端接触；其中所述晶体管结构的导通电流与关闭电流的比值不小于106。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日日新半导体架构股份有限公司 具有多垂直薄体的晶体管结构
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