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申请/专利权人：株式会社神户制钢所;株式会社神钢科研
摘要：本发明其目的在于，提供一种氧化物半导体膜，能够同时提高薄膜晶体管的载流子迁移率和对于环境温度的稳定性。本发明的一个方式的氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，作为金属元素，含有In和Zn、与作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的上述In、上述Zn和上述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。
主权项：1.一种氧化物半导体膜，是用于薄膜晶体管的氧化物半导体膜，其中，作为金属元素，含有：In和Zn；作为La和Nd中任意一个的元素X，全部金属元素中的所述In、所述Zn和所述X的含量为，In：30atm％以上且90atm％以下，Zn：9atm％以上且70atm％以下，X：0.0001atm％以上且2atm％以下。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社神户制钢所 株式会社神钢科研 氧化物半导体膜、薄膜晶体管、溅射靶和氧化物烧结体
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