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申请/专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的打标方法及其应用，属于3C‑SiC材料加工技术领域。该打标方法包括步骤：1将带有定位边的3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜固定；2沿3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的定位边方向，在3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的径向进行打标形成第一标记；3沿与3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的定位边呈30°夹角的方向，在3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的径向进行打标形成第二标记。该方法以3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的定位边为主，沿定位边方向形成的第一标记对应于3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的[11‑2]晶向，第二标记对应于3C‑SiC晶片或3C‑SiC薄膜的[01‑1]晶向或[10‑1]晶向，两个特征晶向的标定有利于研发生产工作的进行，也有利于批量器件生产过程中的定位。
主权项：1.一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法，其特征在于，包括下述步骤：1将带有定位边的3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜固定；2沿3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的定位边方向，在3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的径向进行打标形成第一标记；3沿与3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的定位边呈30°夹角的方向，在3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的径向进行打标形成第二标记。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东天岳先进科技股份有限公司 一种3C-SiC晶片或3C-SiC薄膜的打标方法及其应用
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