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申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
摘要：一种光阻层缺陷检测方法，包括：产品晶圆缺陷检测步骤S100：在产品晶圆10表面形成第一光阻层11，并确认是否存在缺陷12；测机参数确认步骤S200：确认测机参数是否正常；测机晶圆缺陷检测步骤S300：在测机晶圆20的表面再形成第三光阻层22，并确认是否存在缺陷；大缺陷检测步骤S400：使用强光手电照射产品晶圆10的表面，确认是否存在大缺陷；空跑步骤S500：将测机晶圆20放入光刻机台的各个腔室中，进行除涂光阻外的其它处理，并确认是否存在大颗粒；再次检测步骤S600：在产品晶圆10的表面形成第四光阻层13，并确认是否存在缺陷；判断步骤S700：判断造成缺陷12的原因。检测方法能够快速准确地找出造成光阻层出现缺陷的原因。
主权项：1.一种光阻层缺陷检测方法，包括：产品晶圆缺陷检测步骤S100：通过光刻机台在产品晶圆10表面形成第一光阻层11，并通过检测机台对所述第一光阻层11进行检测，确认是否存在缺陷12；测机参数确认步骤S200：如果存在所述缺陷12，则对之前的测机参数进行确认，确认测机晶圆20的表面的第二光阻层21的测机参数是否正常；测机晶圆缺陷检测步骤S300：如果所述第二光阻层21的测机参数正常，则通过所述光刻机台在所述测机晶圆20的表面再形成第三光阻层22，并通过所述检测机台对所述第三光阻层22进行检测，确认是否存在缺陷；大缺陷检测步骤S400：如果所述第三光阻层22不存在缺陷，则使用强光手电照射所述产品晶圆10的表面，确认是否存在大缺陷；空跑步骤S500：如果所述产品晶圆10的表面不存在大缺陷，则将所述测机晶圆20放入所述光刻机台的各个腔室中，进行除涂光阻外的其它处理，并通过所述检测机台对所述测机晶圆20进行大颗粒检测，确认是否存在大颗粒；再次检测步骤S600：如果不存在大颗粒，则去除所述产品晶圆10表面的第一光阻层11，然后通过所述光刻机台在所述产品晶圆10的表面形成第四光阻层13，并通过检测机台对所述第四光阻层13进行检测，确认是否存在缺陷；判断步骤S700：判断造成所述缺陷12的原因。
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